Антава

IXYS

Транзистор IXTH10N100D2

IXTH10N100D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
10A
Power dissipation
695W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH10N100D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current10A
Power dissipation695W
КорпусTO247-3
On-state resistance1.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time70ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns

Документация

Документ производителя