Антава

IXYS

Транзистор IXTH06N220P3HV

IXTH06N220P3HV
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
2.2 kV
Drain current
0.38 A
Pulsed drain current
1.2 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH06N220P3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage2.2 kV
Drain current0.38 A
Pulsed drain current1.2 A
Power dissipation104 W
КорпусTO247HV
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance80 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10.4nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.1µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.2kV; 0.38A; Idm: 1.2A

Документация

Документ производителя