Антава

IXYS

Транзистор IXTH05N250P3HV

IXTH05N250P3HV
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
2.5 kV
Drain current
0.33 A
Pulsed drain current
1 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTH05N250P3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage2.5 kV
Drain current0.33 A
Pulsed drain current1 A
Рассеиваемая мощность104 W
КорпусTO247HV
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance110 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.2µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 2.5kV; 0.33A; Idm: 1A; 104W

Документация

Документ производителя