Антава

IXYS

Транзистор IXTH02N250

IXTH02N250
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
2.5kV
Drain current
0.2A
Power dissipation
83W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTH02N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage2.5kV
Drain current0.2A
Power dissipation83W
КорпусTO247-3
On-state resistance450Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us

Документация

Документ производителя