Антава

IXYS

Транзистор IXTF2N300P3

IXTF2N300P3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
3 kV
Drain current
1.6 A
Pulsed drain current
6 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTF2N300P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage3 kV
Drain current1.6 A
Pulsed drain current6 A
Power dissipation160 W
КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance21 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge73nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 3kV; 1.6A; Idm: 6A; 160W

Документация

Документ производителя