Антава

IXYS

Транзистор IXTF1R4N450

IXTF1R4N450
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
4.5 kV
Drain current
1.4 A
Pulsed drain current
4.2 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTF1R4N450
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage4.5 kV
Drain current1.4 A
Pulsed drain current4.2 A
Power dissipation190 W
КорпусISOPLUS i4-pac™ x024c
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge88nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time660ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1.4A; Idm: 4.2A; 190W; 660ns

Документация

Документ производителя