IXYS

Транзистор IXTF1N450

i4-pacИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 4.5 kV
Drain current: 0.9 A
Power dissipation: 165 W
Корпус: i4-pac

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXTF1N450
Производитель	IXYS
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	N
Drain-source voltage	4.5 kV
Drain current	0.9 A
Power dissipation	165 W
Корпус	i4-pac
Gate-source voltage	20 V
On-state resistance	80 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	46nC
Kind of channel	enhancement
Reverse recovery time	1.75µs

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 4.5kV; 900mA; 165W; i4-pac; 1.75us

Документация

Документы пока не предоставлены.