Антава

IXYS

Транзистор IXTA96P085T

IXTA96P085T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-85 V
Drain current
-96 A
Рассеиваемая мощность
298 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 80 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 559,05 ₽

Сумма · с НДС 22%1 559,05 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 559,05 ₽
от 51 269,59 ₽
от 101 117,53 ₽
от 50859,22 ₽
от 100800,59 ₽
от 150776,78 ₽
от 500738,30 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTA96P085T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-85 V
Drain current-96 A
Рассеиваемая мощность298 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance13 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time55ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263

Документация

Документ производителя