Антава

IXYS

Транзистор IXTA90N20X3

IXTA90N20X3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
90 A
Pulsed drain current
220 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA90N20X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current90 A
Pulsed drain current220 A
Power dissipation390 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time124ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W

Документация

Документы пока не предоставлены.