Антава

IXYS

Транзистор IXTA90N055T2

IXTA90N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55V
Drain current
90A
Power dissipation
150W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA90N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55V
Drain current90A
Power dissipation150W
КорпусTO263
On-state resistance8.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time37ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns

Документация

Документ производителя