Антава

IXYS

Транзистор IXTA86N20T-TRL

IXTA86N20T-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Drain-source voltage
200 V
Drain current
86 A
Power dissipation
550 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA86N20T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Drain-source voltage200 V
Drain current86 A
Power dissipation550 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance33 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge90nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time140ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; 200V; 86A; 550W; D2PAK,TO263; 140ns

Документация

Документы пока не предоставлены.