Антава

IXYS

Транзистор IXTA80N10T-TRL

IXTA80N10T-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Power dissipation
230 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA80N10T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Power dissipation230 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; 230W; D2PAK,TO263; 100ns

Документация

Документы пока не предоставлены.