Антава

IXYS

Транзистор IXTA80N10T

IXTA80N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
80A
Power dissipation
230W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA80N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current80A
Power dissipation230W
КорпусTO263
On-state resistance14mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns

Документация

Документ производителя