Антава

IXYS

Транзистор IXTA76N25T-TRL

IXTA76N25T-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
TrenchFET®
Drain-source voltage
250 V
Drain current
76 A
Power dissipation
460 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA76N25T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrenchFET®
Drain-source voltage250 V
Drain current76 A
Power dissipation460 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance42 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time148ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; 250V; 76A; 460W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.