Антава

IXYS

Транзистор IXTA75N10P

IXTA75N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
75A
Power dissipation
360W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA75N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current75A
Power dissipation360W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance25mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge74nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263

Документация

Документ производителя