Антава

IXYS

Транзистор IXTA6N50D2-TRL

IXTA6N50D2-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
500 V
Drain current
6 A
Power dissipation
300 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA6N50D2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage500 V
Drain current6 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance0.55 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge96nC
Reverse recovery time0.35µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 500V; 6A; 300W; D2PAK,TO263; 350ns

Документация

Документы пока не предоставлены.