Антава

IXYS

Транзистор IXTA6N100D2HV

IXTA6N100D2HV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
6 A
Power dissipation
300 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA6N100D2HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage1 kV
Drain current6 A
Power dissipation300 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage20 V
On-state resistance2.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge95nC
Reverse recovery time952ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 6A; 300W; D2PAK,TO263AB; 952ns

Документация

Документы пока не предоставлены.