Антава

IXYS

Транзистор IXTA6N100D2-TRL

IXTA6N100D2-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
1kV
Drain current
0.8A
Power dissipation
300W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA6N100D2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage1kV
Drain current0.8A
Power dissipation300W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20V
On-state resistance2.2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge95nC
Reverse recovery time952ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 800mA; 300W; D2PAK,TO263; 952ns

Документация

Документы пока не предоставлены.