Антава

IXYS

Транзистор IXTA64N10L2-TRL

IXTA64N10L2-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
64 A
Power dissipation
357 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA64N10L2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current64 A
Power dissipation357 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance32 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.1µC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 64A; 357W; D2PAK,TO263; 180ns

Документация

Документы пока не предоставлены.