Антава

IXYS

Транзистор IXTA62N15P-TRL

IXTA62N15P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
62 A
Power dissipation
350 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA62N15P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current62 A
Power dissipation350 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 62A; 350W; D2PAK,TO263; 150ns

Документация

Документы пока не предоставлены.