Антава

IXYS

Транзистор IXTA62N15P

IXTA62N15P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150V
Drain current
62A
Power dissipation
350W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA62N15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150V
Drain current62A
Power dissipation350W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance40mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263

Документация

Документ производителя