Антава

IXYS

Транзистор IXTA60N10T-TRL

IXTA60N10T-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
100 V
Drain current
60 A
Power dissipation
176 W
Корпус
D2PAK, TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA60N10T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage100 V
Drain current60 A
Power dissipation176 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time59ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 60A; 176W; D2PAK,TO263; 59ns

Документация

Документы пока не предоставлены.