Антава

IXYS

Транзистор IXTA52P10P

IXTA52P10P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-52A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA52P10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-52A
Power dissipation300W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance50mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263

Документация

Документ производителя