Антава

IXYS

Транзистор IXTA50N20P-TRL

IXTA50N20P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
200 V
Drain current
50 A
Power dissipation
360 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA50N20P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage200 V
Drain current50 A
Power dissipation360 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 200V; 50A; 360W; D2PAK,TO263; 150ns

Документация

Документы пока не предоставлены.