Антава

IXYS

Транзистор IXTA4N65X2

IXTA4N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
4A
Power dissipation
80W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA4N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyX2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current4A
Power dissipation80W
КорпусTO263
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.85Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263

Документация

Документ производителя