Антава

IXYS

Транзистор IXTA4N150HV-TRL

IXTA4N150HV-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.5 kV
Drain current
4 A
Power dissipation
280 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA4N150HV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.5 kV
Drain current4 A
Power dissipation280 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage30 V
On-state resistance6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44.5nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time900ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.5kV; 4A; 280W; D2PAK,TO263AB; 900ns

Документация

Документы пока не предоставлены.