Антава

IXYS

Транзистор IXTA48N20T

IXTA48N20T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
48 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA48N20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current48 A
Power dissipation250 W
КорпусTO263
On-state resistance50 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time130ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns

Документация

Документ производителя