Антава

IXYS

Транзистор IXTA42N25P

IXTA42N25P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
42 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA42N25P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current42 A
Power dissipation300 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance84 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 42A; 300W; TO263

Документация

Документ производителя