Антава

IXYS

Транзистор IXTA3N150HV

IXTA3N150HV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5kV
Drain current
3A
Power dissipation
250W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA3N150HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5kV
Drain current3A
Power dissipation250W
КорпусTO263
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge38.6nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time900ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns

Документация

Документ производителя