Антава

IXYS

Транзистор IXTA3N120HV-TRL

IXTA3N120HV-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
3 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Корпус
D2PAK, TO263AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA3N120HV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current3 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусD2PAK, TO263AB
Gate-source voltage20 V
On-state resistance4.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge42nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time700ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 1.2kV; 3A; 200W; D2PAK,TO263AB; 700ns

Документация

Документы пока не предоставлены.