Антава

IXYS

Транзистор IXTA3N100P-TRL

IXTA3N100P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
3 A
Power dissipation
125 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA3N100P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1 kV
Drain current3 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance4.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time820ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 3A; 125W; D2PAK,TO263; 820ns

Документация

Документы пока не предоставлены.