Антава

IXYS

Транзистор IXTA36N30P-TRL

IXTA36N30P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
300 V
Drain current
36 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA36N30P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage300 V
Drain current36 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 300V; 36A; 300W; D2PAK,TO263; 250ns

Документация

Документы пока не предоставлены.