Антава

IXYS

Транзистор IXTA34N65X2

IXTA34N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
34A
Power dissipation
540W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA34N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current34A
Power dissipation540W
КорпусTO263
On-state resistance96mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time390ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns

Документация

Документ производителя