Антава

IXYS

Транзистор IXTA32P05T

IXTA32P05T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-50 V
Drain current
-32 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA32P05T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-50 V
Drain current-32 A
Power dissipation83 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance39 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time26ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO263

Документация

Документ производителя