Антава

IXYS

Транзистор IXTA30N25L2

IXTA30N25L2
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
250 V
Drain current
30 A
Power dissipation
355 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA30N25L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage250 V
Drain current30 A
Power dissipation355 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance0.14 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time315ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 30A; 355W; D2PAK,TO263; 315ns

Документация

Документы пока не предоставлены.