Антава

IXYS

Транзистор IXTA2R4N120P-TRL

IXTA2R4N120P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
2.4 A
Power dissipation
125 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA2R4N120P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current2.4 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage30 V
On-state resistance7.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time920ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 2.4A; 125W; D2PAK,TO263; 920ns

Документация

Документы пока не предоставлены.