Антава

IXYS

Транзистор IXTA28P065T

IXTA28P065T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-65V
Drain current
-28A
Power dissipation
83W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA28P065T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-65V
Drain current-28A
Power dissipation83W
КорпусTO263
Gate-source voltage±15V
On-state resistance45mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time31ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263

Документация

Документ производителя