Антава

IXYS

Транзистор IXTA26P20P-TRL

IXTA26P20P-TRL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain current
26 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
On-state resistance
0.17 Ω

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXTA26P20P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Drain current26 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; 26A; 300W; D2PAK,TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.