Антава

IXYS

Транзистор IXTA26P20P

IXTA26P20P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200V
Drain current
-26A
Power dissipation
300W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA26P20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200V
Drain current-26A
Power dissipation300W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.17Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time240ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263

Документация

Документ производителя