Антава

IXYS

Транзистор IXTA260N055T2

IXTA260N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55V
Drain current
260A
Power dissipation
480W
Корпус
TO263

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA260N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55V
Drain current260A
Power dissipation480W
КорпусTO263
On-state resistance3.3mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time60ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns

Документация

Документ производителя