Антава

IXYS

Транзистор IXTA24P085T

IXTA24P085T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-85 V
Drain current
-24 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA24P085T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-85 V
Drain current-24 A
Power dissipation83 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance65 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time40ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263

Документация

Документ производителя