Антава

IXYS

Транзистор IXTA24N65X2

IXTA24N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
24 A
Power dissipation
390 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA24N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current24 A
Power dissipation390 W
КорпусTO263
On-state resistance0.145 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time390ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns

Документация

Документ производителя