Антава

IXYS

Транзистор IXTA230N04T4

IXTA230N04T4
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
230 A
Power dissipation
340 W
Корпус
TO263

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA230N04T4
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current230 A
Power dissipation340 W
КорпусTO263
On-state resistance2.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time32ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns

Документация

Документ производителя