Антава

IXYS

Транзистор IXTA220N04T2

IXTA220N04T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
220 A
Power dissipation
360 W
Корпус
TO263

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA220N04T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current220 A
Power dissipation360 W
КорпусTO263
On-state resistance3.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge112nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time45ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns

Документация

Документ производителя