Антава

IXYS

Транзистор IXTA200N055T2-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
55 V
Drain current
200 A
Power dissipation
360 W
Корпус
TO263-7
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA200N055T2-7
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage55 V
Drain current200 A
Power dissipation360 W
КорпусTO263-7
Gate-source voltage20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge109nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time49ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 55V; 200A; 360W; TO263-7; 49ns

Документация

Документы пока не предоставлены.