Антава

IXYS

Транзистор IXTA1R6N100D2

IXTA1R6N100D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
1.6 A
Power dissipation
100 W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTA1R6N100D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current1.6 A
Power dissipation100 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge645nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time11ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263; 11ns

Документация

Документ производителя