Антава

IXYS

Транзистор IXTA1N170DHV-TRL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
1 A
Power dissipation
290 W
Корпус
TO263HV
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA1N170DHV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current1 A
Power dissipation290 W
КорпусTO263HV
Gate-source voltage20 V
On-state resistance16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV

Документация

Документы пока не предоставлены.