Антава

IXYS

Транзистор IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7 kV
Drain current
1 A
Power dissipation
290 W
Корпус
TO263HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA1N170DHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7 kV
Drain current1 A
Power dissipation290 W
КорпусTO263HV
On-state resistance16 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time30ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns

Документация

Документ производителя