Антава

IXYS

Транзистор IXTA1N100P-TRL

IXTA1N100P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
1 A
Power dissipation
50 W
Корпус
D2PAK, TO263
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA1N100P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1 kV
Drain current1 A
Power dissipation50 W
КорпусD2PAK, TO263
Gate-source voltage20 V
On-state resistance15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.5nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time750ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 1A; 50W; D2PAK,TO263; 750ns

Документация

Документы пока не предоставлены.