Антава

IXYS

Транзистор IXTA1N100P

IXTA1N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
1A
Power dissipation
50W
Корпус
TO263
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTA1N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current1A
Power dissipation50W
КорпусTO263
On-state resistance15Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time750ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns

Документация

Документ производителя